MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS-T2 AEC-Q101

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Code commande RS:
214-9013
Référence fabricant:
IPB120N08S404ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

TO-263

Série

OptiMOS-T2

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

La gamme Infineon de produits OptiMOS -T2 étend les familles existantes d'OptiMOS -T et d'OptiMOS. Ces produits OptiMOS sont disponibles en boîtiers hautes performances pour s'attaquer aux applications les plus difficiles, offrant une flexibilité totale dans les espaces restreints. Les produits Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension de nouvelle génération les plus nettes dans les applications informatiques. Ce sont des boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité supérieures.

Le produit est certifié AEC Q101

Testé à 100 % en avalanche

Sa température d'utilisation est de 175 °C.

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