MOSFET N Infineon 120 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS-T2 AEC-Q101

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Code commande RS:
214-9087
Référence fabricant:
IPP120N08S403AKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

OptiMOS-T2

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

128nC

Dissipation de puissance maximum Pd

278W

Tension directe Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.36mm

Hauteur

9.45mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon offre une large gamme complète de dispositifs MOSFET, qui inclut les familles CoolMOS, OptiMOS et IRFET robuste. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Le produit est certifié AEC Q101

Sa température d'utilisation est de 175 °C.

Testé à 100 % en avalanche

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