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MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 60 V, 3 broches

Code commande RS:: 826-9235
Référence fabricant:: IPB120N06S402ATMA2
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 60 V, 3 broches

En stock à partir du 16/09/2024, livraison sous 3 jour(s)

Uniquement disponible en livraison standard

Prix pour l'unité (par multiple de 10)

2,424 €

2,909 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 10	2,424 €	24,24 €
20 - 40	2,304 €	23,04 €
50 - 90	2,206 €	22,06 €
100 - 240	2,109 €	21,09 €
250 +	2,013 €	20,13 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 826-9235
Référence fabricant:: IPB120N06S402ATMA2
Marque:: Infineon

IPB120N06S4-02, IPI120N06S4-02, IPP120N06S4-02, OptiMOS-T2 Power-Transistor

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	120 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Série	OptiMOS™ -T2
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	2,8 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	188 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	150 nC @ 10 V
Longueur	10mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Largeur	9.25mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	4.4mm

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Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon

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