MOSFET P Infineon 120 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 229-1818
- Référence fabricant:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 248,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,248 € | 1 248,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-1818
- Référence fabricant:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | iPB | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 136W | |
| Tension directe Vf | -1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série iPB | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 136W | ||
Tension directe Vf -1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série iPB, tension de source de drain maximale de 40 V, courant de drain continu maximal de 120 A - IPB120P04P4L03ATMA2
Ce MOSFET à canal p est un transistor de puissance à montage en surface conçu pour la commutation à courant élevé et la résistance thermique dans les environnements automobiles et industriels. Il fonctionne sur une large plage de températures et est destiné à une utilisation où une tolérance de grille robuste et une faible perte de conduction sont requises.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 40 V permet une commutation à moyenne tension
• Le courant de drainage continu de 120 A permet de gérer les charges lourdes
• La faible valeur Rds(on) de 3.1 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge
• La dissipation de puissance de 136 W permet une gestion de puissance soutenue
• La tolérance Vgs jusqu'à 16 V permet des marges d'entraînement de grille plus élevées
• La plage de températures de -55 à 175 °C maintient le fonctionnement dans des conditions extrêmes
• Le courant de drainage continu de 120 A permet de gérer les charges lourdes
• La faible valeur Rds(on) de 3.1 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge
• La dissipation de puissance de 136 W permet une gestion de puissance soutenue
• La tolérance Vgs jusqu'à 16 V permet des marges d'entraînement de grille plus élevées
• La plage de températures de -55 à 175 °C maintient le fonctionnement dans des conditions extrêmes
Applications
• Convient aux circuits de protection contre les inversions de batterie à courant élevé
• Idéal pour les modules de distribution d'alimentation automobile
• Utilisé avec le contrôleur de moteur côté bas ou côté haut
• Peut être utilisé pour la commutation synchrone du convertisseur c.c.-c.c.
• Convient aux fonctions de gestion de l'énergie dans les véhicules électriques
• Idéal pour les modules de distribution d'alimentation automobile
• Utilisé avec le contrôleur de moteur côté bas ou côté haut
• Peut être utilisé pour la commutation synchrone du convertisseur c.c.-c.c.
• Convient aux fonctions de gestion de l'énergie dans les véhicules électriques
Quel boîtier utilise-t-il pour l'assemblage des circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier à montage en surface TO-263 conçu pour le montage sur carte soudée.
Comment se comporte-t-il thermiquement sous une charge élevée?
Le dispositif peut dissiper jusqu'à 136 W lorsqu'il est correctement refroidi, ce qui permet un fonctionnement prolongé à une puissance élevée avec une gestion thermique adéquate.
Quelles sont les limites de grille à respecter lors de la conception?
La tension de la source de la grille ne doit pas dépasser 16 V afin d'éviter une surtension de la grille.
Est-il adapté aux exigences de qualification automobile?
Il est conforme à la norme automobile AEC-Q101 pour la qualification des semi-conducteurs.
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