MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 165-5662
- Référence fabricant:
- IPB120N06S402ATMA2
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 384,00 €
HT
1 661,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 09 février 2026
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,384 € | 1 384,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-5662
- Référence fabricant:
- IPB120N06S402ATMA2
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum | 120 A | |
| Tension Drain Source maximum | 60 V | |
| Série | OptiMOS™ -T2 | |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) | |
| Type de montage | CMS | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum | 2,8 mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V | |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V | |
| Dissipation de puissance maximum | 188 W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V | |
| Charge de Grille type @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Longueur | 10mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Matériau du transistor | Si | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Largeur | 9.25mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Hauteur | 4.4mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum 120 A | ||
Tension Drain Source maximum 60 V | ||
Série OptiMOS™ -T2 | ||
Type de boîtier D2PAK (TO-263) | ||
Type de montage CMS | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum 2,8 mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension de seuil maximale de la grille 4V | ||
Tension de seuil minimale de la grille 2V | ||
Dissipation de puissance maximum 188 W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V | ||
Charge de Grille type @ Vgs 150 nC @ 10 V | ||
Longueur 10mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Matériau du transistor Si | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Largeur 9.25mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Hauteur 4.4mm | ||
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- CN
Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Qualifié AEC
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
