MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 60 V, 3 broches

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 384,00 €

HT

1 661,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 09 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,384 €1 384,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
165-5662
Référence fabricant:
IPB120N06S402ATMA2
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

120 A

Tension Drain Source maximum

60 V

Série

OptiMOS™ -T2

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

2,8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

188 W

Configuration du transistor

Simple

Tension Grille Source maximum

-20 V, +20 V

Charge de Grille type @ Vgs

150 nC @ 10 V

Longueur

10mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

9.25mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

4.4mm

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :
CN

Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon


La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

Canal N - Mode d'enrichissement
Qualifié AEC
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.