MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 80 V, 3 broches

Le transistor MOSFET de puissance industrielle Infineon OptiMOS 5 80 V IPB031N08N5 offre une réduction RDS(on) de 43 % par rapport aux générations précédentes et est parfaitement adapté aux hautes fréquences de commutation. Les dispositifs de cette famille sont spécialement conçus pour la rectification synchrone dans les télécommunications et les alimentations de serveur. En outre, ils peuvent également être utilisés dans d'autres applications industrielles telles que l'énergie solaire, les disques basse tension et les adaptateurs.

Optimisé pour une rectification synchrone
Idéal pour les fréquences de commutation élevées
Réduction de la capacité de sortie jusqu'à 44 %
Réduction R DS(on) atteignant 44 %
Rendement système le plus élevé
Pertes de conduction et de commutation réduites
Moins de mise en parallèle nécessaire
Densité de puissance accrue
Dépassement du signal basse tension