MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 180 A 120 V, 7 broches

Code commande RS:: 754-5428
Référence fabricant:: IPB036N12N3GATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 180 A 120 V, 7 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour la pièce

2,54 €

3,05 €

Unité	Prix par unité
1 +	2,54 €

Code commande RS:: 754-5428
Référence fabricant:: IPB036N12N3GATMA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Détail produit

Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	180 A
Tension Drain Source maximum	120 V
Type de boîtier	D2PAK-7
Série	OptiMOS™ 3
Type de montage	CMS
Nombre de broches	7
Résistance Drain Source maximum	3,6 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	300 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	9.45mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	158 nC @ 10 V
Longueur	10.31mm
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	4.57mm