MOSFET Infineon canal N, TO-263-7 180 A 100 V, 7 broches

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Code commande RS:
214-9009
Référence fabricant:
IPB024N10N5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

180 A

Tension Drain Source maximum

100 V

Type de boîtier

TO-263-7

Série

OptiMOS™ 5

Type de montage

CMS

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum

0,0024 O

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.8V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Le transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS 5 100 V est spécialement conçu pour la rectification synchrone dans les blocs de télécommunications, y compris l'or, l'échange à chaud et la protection de batterie, ainsi que pour les applications d'alimentation de serveur. Le dispositif est doté d'un RDS(on) plus faible de 22 % par rapport à des dispositifs similaires, l'un des plus grands facteurs de ce FOM leader dans le secteur est la faible résistance à l'état passant fournissant le plus haut niveau de densité de puissance et d'efficacité.

Testé à 100 % en avalanche
Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles