MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 180 A 100 V, 7 broches

L'ETF linéaire OptiMOSTM est une approche révolutionnaire pour éviter le compromis entre la résistance à l'état sous tension (R DS(on)) et la capacité de mode linéaire - fonctionnement dans la région de saturation d'un MOSFET de mode amélioré. Il offre le R DS(on) de pointe d'un transistor MOSFET en tranchée ainsi que la large zone de fonctionnement sûre d'un transistor MOSFET planaire classique.

•Combinaison de DS(on) à faible R et d'une large zone de fonctionnement sûre (SOA)

•Courant d'impulsion max. élevé

•Courant d'impulsion continu élevé

•Fonctionnement en mode linéaire robuste

•Faibles pertes de conduction

•Courant d'accélération plus élevé pour un démarrage plus rapide et un temps d'arrêt plus court

•Télécommunications

•Gestion de batterie