MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 180 A 40 V, 7 broches

Code commande RS:: 145-9552
Référence fabricant:: IPB011N04NGATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 180 A 40 V, 7 broches

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Référence fabricant:: IPB011N04NGATMA1
Marque:: Infineon

OptiMOS3 Power Transistor IPB011N04N G

Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, jusqu'à 40 V

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 180A Maximum Continuous Drain Current, 250W Maximum Power Dissipation - IPB011N04NGATMA1

Ce MOSFET est optimisé pour des applications de haute performance dans les secteurs électrique et mécanique. Il se caractérise par une conception robuste et un fonctionnement efficace, ce qui le rend adapté aux systèmes d'automatisation. Avec un courant de drain continu maximal de 180 A et une tension drain-source maximale de 40 V, il offre une efficacité et une fiabilité accrues en matière de performances des circuits.

Caractéristiques et avantages

• La gestion du courant élevé améliore l'efficacité et la performance du système
• Le faible Rds(on) réduit la perte de puissance pendant le fonctionnement
• Le montage en surface permet une intégration facile dans les circuits imprimés
• Capable de dissiper jusqu'à 250W, pour une grande variété d'applications
• La large gamme de températures de fonctionnement garantit la fonctionnalité dans différents environnements - La configuration à canal N offre des caractéristiques de commutation améliorées

Applications

• Utilisés dans les systèmes de commande et d'entraînement des moteurs
• Convient à la gestion de l'énergie dans l'automatisation industrielle
• Utilisé dans les convertisseurs DC-DC et les onduleurs
• Utilisé pour la commutation de charge dans les systèmes de distribution d'énergie
• Applicable aux systèmes d'énergie renouvelable, tels que les onduleurs solaires

Quel est le courant de vidange continu maximum pour ce dispositif ?

Le dispositif peut supporter jusqu'à 180A de courant de drain continu, ce qui le rend approprié pour les applications de haute puissance.

Peut-il fonctionner à des températures élevées ?

Oui, il a une température de fonctionnement maximale de +175°C, ce qui permet d'obtenir des performances constantes dans des conditions difficiles.

Quelles sont les spécifications de la tension de seuil de la porte ?

La tension maximale de seuil de la grille est de 4V, tandis que la tension minimale est de 2V, ce qui offre une grande souplesse en matière de compatibilité opérationnelle.

Quel type de montage ce composant prend-il en charge ?

Ce produit est conçu pour être monté en surface, ce qui facilite l'installation sur divers circuits imprimés.

Comment ce MOSFET contribue-t-il à l'efficacité énergétique ?

Sa faible valeur Rds(on) de 1,1 mΩ réduit considérablement la perte de puissance, améliorant ainsi l'efficacité des systèmes électroniques dans leur ensemble.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	180 A
Tension Drain Source maximum	40 V
Type de boîtier	D2PAK-7
Série	OptiMOS™ 3
Type de montage	CMS
Nombre de broches	7
Résistance Drain Source maximum	1,1 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Dissipation de puissance maximum	250 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	9.45mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Longueur	10.31mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	188 nC @ 10 V
Hauteur	4.57mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Tension directe de la diode	1.2V