MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 180 A 80 V, 3 broches

Code commande RS:: 220-7375
Référence fabricant:: IPB019N08N3GATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 180 A 80 V, 3 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (en bobine de 1000)

3,074 €

3,689 €

Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	3,074 €	3 074,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 220-7375
Référence fabricant:: IPB019N08N3GATMA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

Datasheet - IPB019N08N3GATMA1

Législation et Conformité

Détail produit

Infineon OptiMOS est le leader sur le marché dans les solutions extrêmement efficaces pour la génération d'énergie (par exemple, micro-inverseur solaire), l'alimentation (par exemple, serveur et télécommunications) et la consommation d'énergie (par exemple, véhicule électrique).

Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Excellent produit charge de grille x R DS(on) (facteur de mérite)
Résistance thermique excellente
Refroidissement des deux côtés
Faible inductance parasite
Bas profil (<0,7 mm)
Canal N, niveau normal

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	180 A
Tension Drain Source maximum	80 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Série	OptiMOS™ 3
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	0,0019 O
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.5V
Nombre d'éléments par circuit	1

MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 180 A 80 V, 3 broches

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