MOSFET Infineon canal N, TO-263-7 180 A 100 V, 7 broches
- Code commande RS:
- 214-9008
- Référence fabricant:
- IPB024N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
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Prix pour l'unité (en bobine de 1000)
2,714 €
HT
3,257 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
---|---|---|
1000 + | 2,714 € | 2 714,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-9008
- Référence fabricant:
- IPB024N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS 5 100 V est spécialement conçu pour la rectification synchrone dans les blocs de télécommunications, y compris l'or, l'échange à chaud et la protection de batterie, ainsi que pour les applications d'alimentation de serveur. Le dispositif est doté d'un RDS(on) plus faible de 22 % par rapport à des dispositifs similaires, l'un des plus grands facteurs de ce FOM leader dans le secteur est la faible résistance à l'état passant fournissant le plus haut niveau de densité de puissance et d'efficacité.
Testé à 100 % en avalanche
Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles
Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 180 A |
Tension Drain Source maximum | 100 V |
Type de boîtier | TO-263-7 |
Série | OptiMOS™ 5 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 7 |
Résistance Drain Source maximum | 0,0024 O |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 3.8V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Matériau du transistor | Si |
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