MOSFET canal N Infineon 180 A 40 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 218-3036
- Référence fabricant:
- IPB180N04S4H0ATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,672 € | 18,36 € |
| 10 - 20 | 3,49 € | 17,45 € |
| 25 - 45 | 3,144 € | 15,72 € |
| 50 + | 3,122 € | 15,61 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-3036
- Référence fabricant:
- IPB180N04S4H0ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 180A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | OptiMOS-T2 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 180A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série OptiMOS-T2 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET automobile à canal N série Infineon OptiMOS TM-T2. Il est doté d'un boîtier TO263-7-3.
Température d'utilisation de 175 °C
Très faible RDS(on)
Testé à 100 % en avalanche
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