MOSFET Infineon canal N, SO-8 21 A 30 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 215-2584
- Référence fabricant:
- IRF7831TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Prix pour l'unité (en bobine de 4000)
0,466 €
HT
0,559 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,466 € | 1 864,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-2584
- Référence fabricant:
- IRF7831TRPBF
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
La série Infineon HEXFET Power MOSFET est dotée d'une tension de source de drain maximale de 30 V dans un boîtier SO-8. Il est doté d'un convertisseur abaisseur synchrone de point de charge haute fréquence d'application pour les applications dans les réseaux et les systèmes informatiques.
Conforme à la directive RoHS
Qualité à la tête du secteur
Faible RDS(ON) à VGS de 4,5 V
Tension et courant en avalanche entièrement caractérisés
Impédance de grille ultra faible
Qualité à la tête du secteur
Faible RDS(ON) à VGS de 4,5 V
Tension et courant en avalanche entièrement caractérisés
Impédance de grille ultra faible
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 21 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | SO-8 |
| Série | HEXFET |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,0036 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.35V |
| Matériau du transistor | Si |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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