MOSFET Infineon canal N, SO-8 16 A 30 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 162-3276
- Référence fabricant:
- IRF7805ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
2950 En stock pour livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (en bobine de 4000)
0,294 €
HT
0,353 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,294 € | 1 176,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 162-3276
- Référence fabricant:
- IRF7805ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance HEXFET à simple canal N de 30 V dans un boîtier SO-8
Convertisseur abaisseur synchrone de point de charge à haute fréquence pour les applications dans les systèmes réseau et informatiques. Convertisseur abaisseur synchrone de point de charge à haute fréquence pour les applications dans les systèmes réseau et informatiques.
Boîtier SO-8 à brochage standard
Compatible avec les techniques de montage en surface existantes
Sans halogène
Compatibilité multi-fournisseurs
Fabrication plus facile
Plus écologique
Plus grande fiabilité
Boîtier SO-8 à brochage standard
Compatible avec les techniques de montage en surface existantes
Sans halogène
Compatibilité multi-fournisseurs
Fabrication plus facile
Plus écologique
Plus grande fiabilité
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 16 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | SO-8 |
| Série | IRF7805Z |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 8,7 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.25V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.35V |
| Dissipation de puissance maximum | 2,5 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±20 V |
| Longueur | 5mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Charge de Grille type @ Vgs | 18 nC @ 4,5 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 4mm |
| Tension directe de la diode | 1V |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1.5mm |
Nos clients ont également consulté
- MOSFET Infineon canal N, SO-8 16 A 30 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, SO-8 3,5 A 30 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, SO-8 14 A 30 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, SO-8 13 A 30 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, SO-8 21 A 30 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, SO-8 11 A 30 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, SO-8 4,7 A 30 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, SO-8 7 A 30 V, 8 broches