MOSFET canal N Infineon -12 A -30 V, SO-8 HEXFET

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Code commande RS:
257-9335
Référence fabricant:
IRF9388TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

-12A

Tension Drain Source maximum Vds

-30V

Type de Boitier

SO-8

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

11.9mΩ

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal p de -30 V dans un boîtier SO 8. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Boîtier à montage en surface standard

Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz

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