MOSFET canal N Infineon 6.5 A 30 V, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9300
- Référence fabricant:
- IRF7313TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
1 104,00 €
HT
1 324,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,276 € | 1 104,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9300
- Référence fabricant:
- IRF7313TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 46mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 0.78V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 46mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 0.78V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un transistor de puissance HEXFET à canal N double de 30 V dans un boîtier SO 8.
Conforme à la directive RoHS
Faible RDS(on)
Valeur nominale dv/dt dynamique
Commutation rapide
MOSFET canal N double
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