MOSFET canal N Infineon 6.5 A 30 V, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9301
- Référence fabricant:
- IRF7313TRPBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,529 € | 5,29 € |
| 100 - 240 | 0,503 € | 5,03 € |
| 250 - 490 | 0,492 € | 4,92 € |
| 500 - 990 | 0,461 € | 4,61 € |
| 1000 + | 0,371 € | 3,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9301
- Référence fabricant:
- IRF7313TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 46mΩ | |
| Tension directe Vf | 0.78V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 46mΩ | ||
Tension directe Vf 0.78V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un transistor de puissance HEXFET à canal N double de 30 V dans un boîtier SO 8.
Conforme à la directive RoHS
Faible RDS(on)
Valeur nominale dv/dt dynamique
Commutation rapide
MOSFET canal N double
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