MOSFET canal N Infineon -8 A -30 V, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9305
- Référence fabricant:
- IRF7328TRPBF
- Marque:
- Infineon
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 257-9305
- Référence fabricant:
- IRF7328TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -30V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 32mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 52nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id -8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -30V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 32mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 52nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal P double de -30 V dans un boîtier SO 8.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Peut être soudé à la vague
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