MOSFET canal N Infineon -9.2 A -30 V, 8 broches, SO-8 HEXFET

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Options de conditionnement :
Code commande RS:
257-9338
Référence fabricant:
IRF9393TRPBF
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

-9.2A

Tension Drain Source maximum Vds

-30V

Type de Boitier

SO-8

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

32.5mΩ

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal p de -30 V dans un boîtier SO 8. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Boîtier à montage en surface standard

Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.