MOSFET canal N Infineon 14 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 217-2605
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-416
- Référence fabricant:
- IRF7458TRPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 20 unités)*
26,88 €
HT
32,26 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 22 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 1,344 € | 26,88 € |
| 100 - 180 | 1,277 € | 25,54 € |
| 200 - 480 | 1,224 € | 24,48 € |
| 500 - 980 | 1,169 € | 23,38 € |
| 1000 + | 1,089 € | 21,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 217-2605
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-416
- Référence fabricant:
- IRF7458TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 14A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 3.9mm | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 14A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 3.9mm | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Longueur 4.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple Infineon 30 V dans un boîtier SO-8.
Impédance de grille ultra faible
RDS(on) très faible
Tension et courant en avalanche entièrement caractérisés
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 14 A 30 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 8 A 60 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 9 A 40 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 6.9 A 100 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 1.9 A 150 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 3.6 A 150 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 13 A 30 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET 2 canal N MOSFET à canal N intégré Infineon 5.1 A 55 V Enrichissement SO-8 HEXFET Non