MOSFET canal N Infineon 14 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 HEXFET

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

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Code commande RS:
217-2604
Référence fabricant:
IRF7458TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

14A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SO-8

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

39nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.75mm

Normes/homologations

No

Longueur

4.9mm

Largeur

3.9mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple Infineon 30 V dans un boîtier SO-8.

Impédance de grille ultra faible

RDS(on) très faible

Tension et courant en avalanche entièrement caractérisés

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