MOSFET canal N Infineon 57 A 100 V, SO-8 HEXFET

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Code commande RS:
257-9296
Référence fabricant:
IRF6644TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

57A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

HEXFET

Type de Boitier

SO-8

Résistance Drain Source maximum Rds

13mΩ

Tension directe Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

89W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est une puissante famille de MOSFET de puissance IRFET optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Intensité nominale élevée

Capacité de refroidissement double côté

Faible hauteur de boîtier de 0,7 mm

Boîtier à faible inductance parasite (1 à 2 nH)

100 % sans plomb (pas d'exemption RoHS)

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