MOSFET canal N Infineon 57 A 100 V Enrichissement, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9296
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 20 - 48 | 2,83 € | 5,66 € |
| 50 - 98 | 2,665 € | 5,33 € |
| 100 - 198 | 2,48 € | 4,96 € |
| 200 + | 1,765 € | 3,53 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9296
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 57A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 89W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 57A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 89W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est une puissante famille de MOSFET de puissance IRFET optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Intensité nominale élevée
Capacité de refroidissement double côté
Faible hauteur de boîtier de 0,7 mm
Boîtier à faible inductance parasite (1 à 2 nH)
100 % sans plomb (pas d'exemption RoHS)
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