MOSFET canal N Infineon 57 A 100 V Enrichissement, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9295
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4800 unités)*
5 169,60 €
HT
6 201,60 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 19 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4800 + | 1,077 € | 5 169,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9295
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 57A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 89W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 57A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 89W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 57 A - IRF6644TRPBF
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N conçu pour la commutation et le contrôle de puissance dans les systèmes électroniques. Il fonctionne sur une large plage de températures et est fourni dans un boîtier SO-8 compact pour le montage sur les assemblages de circuits imprimés. Le dispositif est adapté lorsqu'une gestion de courant élevé et une chute de diode directe modeste sont requises, et il est conforme aux restrictions environnementales RoHS.
Caractéristiques et avantages :
• La tension nominale de 100 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le courant continu de 57 A prend en charge les applications à charge élevée
• Rds(on) de 13 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 89 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille de 28 nC permet de prédire les exigences d'entraînement de grille
• Le courant continu de 57 A prend en charge les applications à charge élevée
• Rds(on) de 13 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 89 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille de 28 nC permet de prédire les exigences d'entraînement de grille
Applications
• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. dans les alimentations
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations à découpage
• Utilisé avec les étages d'entraînement de moteur nécessitant un courant élevé
• Peut être utilisé pour la commutation high-side ou low-side
• Convient aux circuits de bus intermédiaire et de gestion de l'alimentation
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations à découpage
• Utilisé avec les étages d'entraînement de moteur nécessitant un courant élevé
• Peut être utilisé pour la commutation high-side ou low-side
• Convient aux circuits de bus intermédiaire et de gestion de l'alimentation
Quelle est la plage de température de fonctionnement ambiante admissible?
Il fonctionne à une température minimale de -55 °C jusqu'à un maximum de 150 °C.
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter pendant le fonctionnement?
La porte ne doit pas dépasser ±20 V par rapport à la source afin d'éviter tout dommage.
Comment se comporte la diode intrinsèque en conduction vers l'avant?
La diode intégrée présente une tension directe de 1,3 V pendant la conduction.
Quel emballage faut-il attendre pour l'assemblage de la carte?
Il est fourni dans un boîtier SO-8 à montage en surface adapté à l'assemblage de soudure standard.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 57 A 100 V Enrichissement, SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 57 A 100 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 57 A 100 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 6.9 A 100 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 57 A 250 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET et Diode canal N Infineon 5.4 A 100 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 13 A 30 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 10 A 80 V Enrichissement SO-8 HEXFET