MOSFET canal N Infineon -9.2 A -30 V, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9337
- Référence fabricant:
- IRF9393TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 257-9337
- Référence fabricant:
- IRF9393TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -9.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -30V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 32.5mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -9.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -30V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 32.5mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal p de -30 V dans un boîtier SO 8. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier à montage en surface standard
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon -9.2 A -30 V SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon -12 A -30 V, SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 6.5 A 30 V, SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon -8 A -30 V SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 21 A 30 V SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 14 A 30 V SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 14 A 30 V Enrichissement SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 13 A 30 V Enrichissement SO-8 HEXFET