MOSFET canal N Infineon 10 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9322
- Référence fabricant:
- IRF7854TRPBF
- Marque:
- Infineon
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| 125 - 245 | 0,554 € | 2,77 € |
| 250 - 495 | 0,512 € | 2,56 € |
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- Code commande RS:
- 257-9322
- Référence fabricant:
- IRF7854TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 27nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source de 80 V, courant de drain continu de 10 A - IRF7854TRPBF
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N fourni dans un boîtier SO-8 à montage en surface pour la commutation de puissance compacte. Il fonctionne sur une large plage de températures et est conçu pour les applications nécessitant une dissipation de puissance modérée et de faibles pertes de conduction. Le dispositif est conforme aux exigences RoHS et est destiné à une utilisation où une commutation efficace et une résistance thermique sont nécessaires.
Caractéristiques et avantages :
• Le RDS(on) de 13,4 mΩ réduit les pertes par conduction
• Le VDS 80 V permet une commutation à tension plus élevée
• Le courant de drain continu de 10 A prend en charge les charges prolongées
• La charge de grille typique de 27 nC améliore le contrôle de commutation
• La dissipation de puissance de 2,5 W gère le stress thermique
• Le VDS 80 V permet une commutation à tension plus élevée
• Le courant de drain continu de 10 A prend en charge les charges prolongées
• La charge de grille typique de 27 nC améliore le contrôle de commutation
• La dissipation de puissance de 2,5 W gère le stress thermique
Applications
• Adapté aux étapes d'entraînement de moteur c.c.
• Idéal pour la gestion de l'alimentation dans les commandes industrielles
• Utilisé avec les régulateurs à découpage et les convertisseurs
• Peut être utilisé pour la commutation de charge dans les équipements de télécommunications
• Convient aux modules d'alimentation compacts à montage en surface
• Idéal pour la gestion de l'alimentation dans les commandes industrielles
• Utilisé avec les régulateurs à découpage et les convertisseurs
• Peut être utilisé pour la commutation de charge dans les équipements de télécommunications
• Convient aux modules d'alimentation compacts à montage en surface
Quelles sont les limites de tension de grille qui s'appliquent pendant le fonctionnement?
Le dispositif accepte une tension de porte à source jusqu'à 20 V.
Quelle plage thermique peut-il tolérer dans des environnements exigeants?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C.
Comment la tension directe affecte-t-elle la conduction dans des conditions de diode de corps?
La diode directe affiche environ 1,3 V pendant les événements de conduction.
Combien de broches et quel type de montage sont utilisés pour la mise en œuvre du circuit imprimé?
Il est fourni dans un boîtier SO‐8 à 8 broches configuré pour le montage en surface.
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