MOSFET canal N Infineon 10 A 80 V, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9322
- Référence fabricant:
- IRF7854TRPBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,71 € | 3,55 € |
| 50 - 120 | 0,588 € | 2,94 € |
| 125 - 245 | 0,554 € | 2,77 € |
| 250 - 495 | 0,512 € | 2,56 € |
| 500 + | 0,496 € | 2,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9322
- Référence fabricant:
- IRF7854TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13.4mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13.4mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 27nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET robuste 80 V à canal n dans un boîtier SO 8. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier à montage en surface standard
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
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