MOSFET canal N Infineon 10 A 80 V, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9321
- Référence fabricant:
- IRF7854TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
2 496,00 €
HT
2 996,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,624 € | 2 496,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9321
- Référence fabricant:
- IRF7854TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13.4mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 27nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13.4mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 27nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET robuste 80 V à canal n dans un boîtier SO 8. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier à montage en surface standard
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
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