MOSFET Infineon canal N, SO-8 7 A 30 V, 8 broches

La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Les HEXFETS de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une très faible résistance par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et la conception robuste bien connue des transistors MOSFET de puissance HEXFET, offre au concepteur un appareil très efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le SO-8 a été modifié grâce à un cadre personnalisé pour de meilleures propriétés thermiques et capacités multimatrices, ce qui le rend idéal pour une grande variété d'applications de puissance. Avec ces améliorations, plusieurs circuits peuvent être utilisés dans une application avec un espace sur la carte considérablement réduit. Le boîtier est conçu pour les techniques de brasage à la vague, en phase vapeur ou par infrarouge.

Faible RDS (on)
Leader du marché en matière de qualité
Puissance dynamique dv/dt
Commutation rapide
Température d'utilisation de 175 °C

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.