MOSFET canal N Infineon -9.2 A -30 V, 8 broches, SO-8 HEXFET

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Code commande RS:
257-9330
Référence fabricant:
IRF9358TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

-9.2A

Tension Drain Source maximum Vds

-30V

Type de Boitier

SO-8

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

23.8mΩ

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal P double de -30 V dans un boîtier SO 8.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 4,5 V (appelée niveau logique)

Capable d'être piloté à une tension d'entraînement de grille de 2,5 V (appelée niveau super logique)

Réduction de la complexité de conception dans la configuration haut-côté

Interface plus facile au microcontrôleur

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