MOSFET canal N Infineon 21 A 30 V, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9324
- Référence fabricant:
- IRF7862TRPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
9,85 €
HT
11,80 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 975 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,97 € | 9,85 € |
| 50 - 120 | 1,572 € | 7,86 € |
| 125 - 245 | 1,454 € | 7,27 € |
| 250 - 495 | 1,358 € | 6,79 € |
| 500 + | 0,886 € | 4,43 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9324
- Référence fabricant:
- IRF7862TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 21A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 21A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple de 30 V dans un boîtier SO 8.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 5 V (appelée niveau logique)
Boîtier à montage en surface standard
Peut être soudé à la vague
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 21 A 30 V SO-8 HEXFET
- MOSFET 1 canal Type N Double Infineon 21 A 30 V Enrichissement SO-8 HEXFET Non
- MOSFET N Infineon -12 A -30 V, SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 6.5 A 30 V, SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon -8 A -30 V SO-8 HEXFET
- Réseaux MOSFET 1 canal Type N Double Infineon 21 A 30 V Enrichissement SO-8 HEXFET Non
- MOSFET N Infineon -9.2 A -30 V SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 14 A 30 V SO-8 HEXFET