MOSFET canal N Infineon 21 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 HEXFET

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257-9324
Référence fabricant:
IRF7862TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

21A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SO-8

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 21 A - IRF7862TRPBF


Ce MOSFET à canal N en mode d'enrichissement dans un boîtier SO-8 est un transistor de puissance à montage en surface conçu pour la commutation à courant élevé dans les assemblages compacts. Il fonctionne dans une large plage ambiante et est conforme à la directive RoHS, ce qui le rend adapté aux applications qui nécessitent des dispositifs d'alimentation CMS compacts et sans plomb.

Caractéristiques et avantages :


• Rds(on) de 4.5 mΩ fournit de faibles pertes de conduction sous charge
• 30 V Vds permet une capacité de commutation de puissance à moyenne tension
• Le courant de drain continu de 21 A prend en charge les circuits à courant élevé
• La charge de grille typique de 30 nC permet un contrôle modéré de la vitesse de commutation
• La dissipation de puissance de 2,5 W permet de gérer la charge thermique dans les espaces restreints

Applications


• Convient aux modules de distribution d'alimentation c.c.
• Idéal pour les étapes de commande de moteur au niveau de la carte
• Utilisé avec des régulateurs de tension pour la commutation de charge
• Peut être utilisé pour les circuits de protection de batterie
• Convient à la gestion de l'alimentation dans les convertisseurs compacts

Quelles sont les limites de tension de grille à respecter?


Le dispositif ne doit pas dépasser ±20 V entre la porte et la source afin d'éviter toute contrainte diélectrique de la porte.

Comment le boîtier affecte-t-il la manipulation thermique?


Le boîtier à montage en surface SO-8 limite le dissipateur thermique, de sorte que le cuivre de carte et les vias thermiques sont recommandés pour aider à dissiper la puissance admissible de 2,5 W.

Quelle plage de température ambiante peut-il supporter?


Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui le rend adapté à des déploiements à large plage de températures.

Ce dispositif est-il adapté à la qualification automobile?


Il n'est pas spécifié comme conforme aux normes automobiles et ne doit pas être considéré comme de qualité automobile.

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