MOSFET canal N Infineon 21 A 30 V, 8 broches, SO-8 HEXFET

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
257-9324
Référence fabricant:
IRF7862TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

21A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SO-8

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple de 30 V dans un boîtier SO 8.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 5 V (appelée niveau logique)

Boîtier à montage en surface standard

Peut être soudé à la vague

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