MOSFET Infineon canal P, SO-8 8 A 30 V, 8 broches

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Ces transistors MOSFET de puissance HEXFET® à canal P d'International Rectifier utilisent les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Cet avantage fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans les applications de gestion de batterie et de charge. Le SO-8 a été modifié par un cadre personnalisé pour de meilleures propriétés thermiques et une capacité pour plusieurs matrices, le rendant idéal dans une grande variété d'applications d'alimentation. Avec ces améliorations, plusieurs dispositifs peuvent être utilisés dans une application grâce à la réduction considérable de l'espace nécessaire sur la carte. Le boîtier est conçu pour les techniques de soudage par phase vapeur, infrarouge ou à la vague.

Avantages :
Transistor MOSFET à canal P

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.