MOSFET P Infineon 8 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 Si4435DYPbF
- Code commande RS:
- 171-1913
- Référence fabricant:
- SI4435DYTRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 171-1913
- Référence fabricant:
- SI4435DYTRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | Si4435DYPbF | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 35mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 40nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série Si4435DYPbF | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 35mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 40nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Non conforme RoHS
Infineon SI4435DY est un transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal P simple de 30 V dans un boîtier SO-8. Ces transistors MOSFET de puissance HEXFET à canal P de international Rectifier utilisent des techniques de traitement Advanced pour obtenir la très faible résistance par surface de silicium.
Transistor MOSFET à canal P.
Montage en surface
Disponible en ruban et bobine
Sans plomb
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