MOSFET Infineon canal N, , TO-220AB 9,7 A 100 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 541-1180
- Référence fabricant:
- IRF520NPBF
- Marque:
- Infineon
Voir la catégorie
34 pour livraison dès le lendemain (stock France)
11 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
186 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
Prix pour la pièce
1,14 €
HT
1,37 €
TTC
| Unité | Prix par unité |
| 1 - 9 | 1,14 € |
| 10 - 14 | 1,03 € |
| 15 - 19 | 0,91 € |
| 20 - 24 | 0,85 € |
| 25 + | 0,80 € |
- Code commande RS:
- 541-1180
- Référence fabricant:
- IRF520NPBF
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
| Attribut | Valeur |
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 9,7 A |
| Tension Drain Source maximum | 100 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 200 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 48 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Longueur | 10.54mm |
| Largeur | 4.69mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Série | HEXFET |
| Hauteur | 8.77mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |