MOSFET N Infineon 100 A 40 V, 4 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9270
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-514
- Référence fabricant:
- IRF1104PBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
5,00 €
HT
6,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 720 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,00 € | 5,00 € |
| 50 - 120 | 0,928 € | 4,64 € |
| 125 - 245 | 0,868 € | 4,34 € |
| 250 - 495 | 0,808 € | 4,04 € |
| 500 + | 0,748 € | 3,74 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9270
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-514
- Référence fabricant:
- IRF1104PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.009Ω | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 170W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 93nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.009Ω | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 170W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 93nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un MOSFET de puissance à canal N simple de 40 V dans un boîtier TO 220.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Intensité nominale élevée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 100 A 40 V TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 317 A 40 V, TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 340 A 40 V, TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 95 A 40 V, TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 120 A 40 V, TO-220 HEXFET
- MOSFET P Infineon 40 A 100 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 62 A 100 V, TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 80 A 100 V, TO-220 HEXFET
