MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9359
- Référence fabricant:
- IRFB7440PBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,05 € | 52,50 € |
| 100 - 200 | 0,84 € | 42,00 € |
| 250 - 450 | 0,788 € | 39,40 € |
| 500 - 950 | 0,735 € | 36,75 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9359
- Référence fabricant:
- IRFB7440PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15mΩ | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFB d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal n simple de 40 V dans un boîtier TO 220. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Intensité nominale élevée
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Diode à corps plus souple par rapport à la génération de silicium précédente
Boîtier d'alimentation à montage traversant standard
Large portefeuille disponible
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