MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9360
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-528
- Référence fabricant:
- IRFB7440PBF
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9360
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-528
- Référence fabricant:
- IRFB7440PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 40 V, courant de drain continu maximal de 120 A - IRFB7440PBF
Ce MOSFET est un dispositif de commutation à canal N à trou traversant conçu pour les applications de puissance à courant élevé. Il fonctionne sur une large plage de températures et est conforme aux restrictions environnementales RoHS. Le boîtier facilite le montage sur les surfaces de dissipateur thermique pour la gestion de la dissipation de puissance et l'assemblage discret dans les circuits conventionnels.
Caractéristiques et avantages :
• Faible Rds(on) de 2,50 mΩ pour des pertes de conduction réduites
• Limite drain-source de 40 V permettant les systèmes à moyenne tension
• Gestion du courant continu de 120 A pour des charges prolongées
• Fonctionnement par canal d'amélioration pour un pilotage de grille simple
• Tension directe de 1,3 V permettant une conduction efficace de la diode de corps
• Limite drain-source de 40 V permettant les systèmes à moyenne tension
• Gestion du courant continu de 120 A pour des charges prolongées
• Fonctionnement par canal d'amélioration pour un pilotage de grille simple
• Tension directe de 1,3 V permettant une conduction efficace de la diode de corps
Applications
• Convient à l'utilisation de transistors MOSFET à courant élevé dans les alimentations
• Idéal pour les transistors MOSFET dans les drivers de moteur (40 V, 120 A)
• Utilisé avec les configurations de transistors MOSFET à canal N à trou traversant TO‐220 40 V
• Peut être utilisé en remplacement d'un MOSFET HEXFET à faible Rds(on) de 2,5 mΩ
• Utilisé dans les circuits nécessitant un fonctionnement MOSFET à haute température (-55 °C à 175 °C)
• Idéal pour les transistors MOSFET dans les drivers de moteur (40 V, 120 A)
• Utilisé avec les configurations de transistors MOSFET à canal N à trou traversant TO‐220 40 V
• Peut être utilisé en remplacement d'un MOSFET HEXFET à faible Rds(on) de 2,5 mΩ
• Utilisé dans les circuits nécessitant un fonctionnement MOSFET à haute température (-55 °C à 175 °C)
Dans quelle plage de températures peut-il fonctionner de manière fiable ?
Il fonctionne entre -55 °C et 175 °C, couvrant les démarrages à basse température et les opérations à haute température.
Quelle méthode de montage est nécessaire pour la gestion thermique?
Il est fourni dans un boîtier TO‐220 à trou traversant conçu pour la fixation à des dissipateurs thermiques externes ou au châssis.
Quel type de canal et de mode de commutation utilise-t-il?
Le dispositif est un transistor à mode d'amélioration à canal N qui nécessite un entraînement de source-gate pour la conduite.
Est-il adapté aux installations qualifiées pour l'automobile?
Il n'est pas spécifié comme conforme aux normes automobiles et doit être évalué par rapport aux exigences spécifiques des véhicules.
Est-il conforme aux exigences de la directive environnementale?
Il est conforme à la directive RoHS, ce qui indique la restriction de certaines substances dangereuses.
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