MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5883
- Référence fabricant:
- IRFR7446TRPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (5 unités, dans un pack de 5)*
8,42 €
HT
10,11 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 1 390 unité(s) expédiée(s) à partir du 06 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,684 € | 8,42 € |
| 50 - 120 | 1,536 € | 7,68 € |
| 125 - 245 | 1,436 € | 7,18 € |
| 250 - 495 | 1,33 € | 6,65 € |
| 500 + | 1,234 € | 6,17 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5883
- Référence fabricant:
- IRFR7446TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.9mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 65nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 98W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.9mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 65nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 98W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET Infineon a amélioré la robustesse de la grille, de l'avalanche et du dV/dt dynamique et il est utilisé pour les commutateurs de puissance OR-ing et redondants et les convertisseurs c.a./c.c. et c.a./c.c., les onduleurs c.a./c.c.
Capacité et aire de sécurité en avalanche entièrement caractérisées
Amélioration de la capacité dv/dt et dI/dt des diodes de corps
Sans plomb
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 130 A 40 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 61 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 5 A 200 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 56 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 17 A 200 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 89 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 42 A 85 V, TO-252 HEXFET