MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V, TO-252 HEXFET

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Code commande RS:
257-5883
Référence fabricant:
IRFR7446TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

3.9mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

98W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

65nC

Tension directe Vf

900mV

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le MOSFET Infineon a amélioré la robustesse de la grille, de l'avalanche et du dV/dt dynamique et il est utilisé pour les commutateurs de puissance OR-ing et redondants et les convertisseurs c.a./c.c. et c.a./c.c., les onduleurs c.a./c.c.

Capacité et aire de sécurité en avalanche entièrement caractérisées

Amélioration de la capacité dv/dt et dI/dt des diodes de corps

Sans plomb

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