MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V, TO-252 HEXFET

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Code commande RS:
257-5883
Référence fabricant:
IRFR7446TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

3.9mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

98W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

0.9V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

65nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le MOSFET Infineon a amélioré la robustesse de la grille, de l'avalanche et du dV/dt dynamique et il est utilisé pour les commutateurs de puissance OR-ing et redondants et les convertisseurs c.a./c.c. et c.a./c.c., les onduleurs c.a./c.c.

Capacité et aire de sécurité en avalanche entièrement caractérisées

Amélioration de la capacité dv/dt et dI/dt des diodes de corps

Sans plomb

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