MOSFET canal N Infineon 56 A 55 V, TO-252 HEXFET

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Code commande RS:
258-3983
Référence fabricant:
IRFR2405TRLPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

56A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

16mΩ

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

70nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La famille de transistors MOSFET R d'Infineon utilise des procédés au silicium éprouvés offrant aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie. Les dispositifs sont disponibles dans une grande variété de boîtiers à montage en surface et à montage traversant avec des empreintes standard de l'industrie pour faciliter la conception.

Structure de cellule planaire pour large SOA

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Robustesse accrue

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