MOSFET canal N Infineon 56 A 100 V, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 214-4457
- Référence fabricant:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 15 - 15 | 1,251 € | 18,77 € | - |
| 30 - 60 | 1,189 € | 17,84 € | 1,86 € |
| 75 - 135 | 1,139 € | 17,09 € | 8,40 € |
| 150 - 360 | 1,088 € | 16,32 € | 24,45 € |
| 375 + | 1,013 € | 15,20 € | 89,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4457
- Référence fabricant:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 56A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 100nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 56A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 100nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Ce transistor MOSFET de puissance HEXFET utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par zone de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température de fonctionnement à jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure valeur nominale d'avalanche répétitive.
Sa conception est extrêmement efficace et fiable
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