MOSFET canal N Infineon 56 A 100 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5855
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-539
- Référence fabricant:
- IRFR3710ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
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| 125 - 245 | 2,132 € | 10,66 € | 75,00 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5855
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-539
- Référence fabricant:
- IRFR3710ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 56A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 69nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 10.41mm | |
| Largeur | 2.39mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 56A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 69nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 10.41mm | ||
Largeur 2.39mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon utilise les techniques de traitement les plus récentes pour obtenir une faible résistance à l'état passant par surface de silicium. Les autres caractéristiques de cette conception sont une température de fonctionnement de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une avalanche répétitive nominale améliorée. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une grande variété d'applications.
Technologie de pointe
Faible résistance à l'état passant
Température de fonctionnement 175 °C
Commutation rapide
Avalanche répétitive autorisée jusqu'à Tjmax
Plusieurs options de boîtiers
Sans plomb
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