MOSFET canal N Infineon 56 A 55 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 258-3984
- Référence fabricant:
- IRFR2405TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,75 €
HT
14,10 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 950 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,35 € | 11,75 € |
| 50 - 120 | 2,162 € | 10,81 € |
| 125 - 245 | 2,026 € | 10,13 € |
| 250 - 495 | 1,882 € | 9,41 € |
| 500 + | 1,74 € | 8,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3984
- Référence fabricant:
- IRFR2405TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 56A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 56A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La famille de transistors MOSFET R d'Infineon utilise des procédés au silicium éprouvés offrant aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie. Les dispositifs sont disponibles dans une grande variété de boîtiers à montage en surface et à montage traversant avec des empreintes standard de l'industrie pour faciliter la conception.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Robustesse accrue
Large disponibilité auprès des partenaires de distribution
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 56 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 56 A 55 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 56 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 61 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 89 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 17 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 56 A 100 V TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 27 A 55 V TO-252 HEXFET