MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 27 A 55 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 218-3110
- Référence fabricant:
- IRFR4105TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Prix pour l'unité (en bobine de 2000)
0,414 €
HT
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TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 2000 - 2000 | 0,414 € | 828,00 € |
| 4000 + | 0,393 € | 786,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 218-3110
- Référence fabricant:
- IRFR4105TRPBF
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N 55 V série Infineon HEXFET. Il utilise des techniques Advanced Processing pour obtenir la plus faible résistance possible par surface de silicium. Ce transistor MOSFET est conçu pour le montage en surface à l'aide d'une technique de soudage par phase vapeur, infrarouge ou à la vague.
Résistance à l'état passant ultra faible
Commutation rapide
Sans plomb
Commutation rapide
Sans plomb
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 27 A |
| Tension Drain Source maximum | 55 V |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Série | HEXFET |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,045 Ω |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
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