MOSFET canal N Infineon 56 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4751
- Référence fabricant:
- IRFR2405TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,333 € | 20,00 € |
| 75 - 135 | 1,265 € | 18,98 € |
| 150 - 360 | 1,212 € | 18,18 € |
| 375 - 735 | 1,159 € | 17,39 € |
| 750 + | 1,079 € | 16,19 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4751
- Référence fabricant:
- IRFR2405TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 56A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 160kΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Largeur | 2.39mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 56A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 160kΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Largeur 2.39mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de MOSFET de puissance HEXFET ® de international Rectifier utilise des techniques de traitement Advanced pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Technologie de traitement avancée
Puissance nominale dv/dt dynamique
Commutation rapide
Entièrement homologation avalanche
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