MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 56 A 55 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 222-4751
- Référence fabricant:
- IRFR2405TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (par multiple de 15)
1,067 €
HT
1,28 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 15 - 60 | 1,067 € | 16,005 € |
| 75 - 135 | 1,014 € | 15,21 € |
| 150 - 360 | 0,971 € | 14,565 € |
| 375 - 735 | 0,929 € | 13,935 € |
| 750 + | 0,865 € | 12,975 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 222-4751
- Référence fabricant:
- IRFR2405TRPBF
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
La conception Infineon de MOSFET de puissance HEXFET ® de international Rectifier utilise des techniques de traitement Advanced pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Technologie de traitement avancée
Puissance nominale dv/dt dynamique
Commutation rapide
Entièrement homologation avalanche
Puissance nominale dv/dt dynamique
Commutation rapide
Entièrement homologation avalanche
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 56 A |
| Tension Drain Source maximum | 55 V |
| Série | HEXFET |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 160000 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Matériau du transistor | Silicium |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |