MOSFET canal N Infineon 44 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 165-5832
- Référence fabricant:
- IRFR1205TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 165-5832
- Référence fabricant:
- IRFR1205TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 44A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 27mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 107W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 65nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 44A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 27mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 107W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 65nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Largeur 6.22mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MX
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 44A, dissipation de puissance maximale de 107W - IRFR1205TRPBF
Ce MOSFET à canal N haute performance est conçu pour une gestion efficace de la puissance dans une variété d'applications. Il se caractérise par un courant de drain continu maximum de 44A et une tension drain-source maximum de 55V, ce qui le rend adapté aux professionnels des secteurs de l'électronique et de l'automatisation. La configuration du mode d'amélioration accroît l'efficacité de la commutation, améliorant ainsi les performances du circuit.
Caractéristiques et avantages
• La faible résistance drain-source minimise les pertes de puissance
• Gestion de la dissipation de puissance jusqu'à 107 W
• Température de fonctionnement maximale élevée de 175°C pour une large applicabilité
• Charge de grille optimisée pour une meilleure efficacité de commutation
• Le montage en surface simplifie l'intégration dans les circuits compacts
• La construction sans plomb est conforme aux normes environnementales actuelles
Applications
• Utilisé dans les convertisseurs de puissance pour améliorer l'efficacité
• Utilisé dans les circuits de commande de moteur pour une fonctionnalité précise
• Idéal pour les régulateurs de commutation afin de gérer la tension
• Convient aux systèmes d'énergie renouvelable
• Approprié pour les appareils électroniques portables compacts
Quelle est la signification de la faible résistance à l'enclenchement dans ce modèle ?
La faible résistance à l'enclenchement réduit la production de chaleur pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité et la fiabilité dans les applications à courant élevé.
En quoi la configuration du mode d'amélioration est-elle utile à la conception des circuits ?
Le mode d'amélioration permet de mieux contrôler les caractéristiques de commutation, ce qui garantit un fonctionnement régulier et des performances optimales dans diverses applications électroniques.
Ce composant peut-il fonctionner à des températures extrêmes ?
Oui, il est conçu pour être utilisé dans des environnements allant de -55°C à +175°C, ce qui le rend approprié pour diverses applications industrielles.
Quelles sont les implications électriques des limites de tension grille-source ?
Les limites de tension grille-source garantissent un fonctionnement sûr et évitent les dommages, ce qui permet une flexibilité de conception sans sacrifier la fiabilité.
Comment peut-on obtenir une dissipation efficace de la chaleur en utilisant ce composant ?
L'intégration d'un dissipateur thermique ou d'une ventilation adéquate facilitera la dissipation de la chaleur et garantira des performances stables pendant les périodes d'utilisation prolongées.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 44 A 55 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 11 A 55 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 56 A 55 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 25 A 55 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 17 A 55 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 60 A 55 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 42 A 55 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 59 A 55 V Enrichissement TO-252 HEXFET
