MOSFET canal N Infineon 11 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4616
- Référence fabricant:
- AUIRFR9024NTRL
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4616
- Référence fabricant:
- AUIRFR9024NTRL
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.18mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 38W | |
| Tension directe Vf | -1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Longueur | 6.22mm | |
| Largeur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.18mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 38W | ||
Tension directe Vf -1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Longueur 6.22mm | ||
Largeur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Infineon Power utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température d'utilisation de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure valeur d'avalanche répétitive. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications automobiles et une grande variété d'autres applications.
Technologie de processus Advanced
Commutation rapide à très faible résistance à l'état passant
Sans plomb, Conforme à la directive RoHS
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