MOSFET canal N Infineon 28 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET

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Code commande RS:
913-4809
Référence fabricant:
IRLR2705TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

28A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

65mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-16V, +16V

Dissipation de puissance maximum Pd

68W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

25nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.39mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 28A, dissipation de puissance maximale de 68W - IRLR2705TRPBF


Ce MOSFET est conçu pour offrir des performances exceptionnelles dans une large gamme d'applications électroniques. S'appuyant sur les avancées modernes de la technologie MOSFET, il joue un rôle important dans les applications de commutation où l'efficacité et la fiabilité sont essentielles. Ses caractéristiques distinctes en font une excellente option pour les systèmes électriques et d'automatisation qui nécessitent un courant élevé et un fonctionnement robuste.

Caractéristiques et avantages


• Le courant de vidange continu élevé de 28A améliore les performances

• La tension maximale de 55V renforce les capacités de commutation

• La faible résistance à l'enclenchement de 65mΩ minimise la perte d'énergie

• Fonctionne efficacement à des températures allant jusqu'à +175°C

• Conçu pour un montage en surface dans un boîtier DPAK TO-252 pour plus d'efficacité

• La configuration en mode d'amélioration unique facilite la conception des circuits

Applications


• Convient à la gestion de l'énergie dans l'automatisation industrielle

• Idéal pour une commutation économe en énergie dans les alimentations

• Couramment utilisés dans les circuits de commande de moteurs

• Approprié pour une utilisation dans les convertisseurs DC-DC

Quelle est la puissance maximale dissipée par ce composant ?


La puissance dissipée maximale est de 68 W, ce qui permet une gestion efficace de la chaleur pendant le fonctionnement.

Quelle est l'incidence de la plage de température de fonctionnement sur l'utilisation ?


L'appareil fonctionne efficacement entre -55°C et +175°C, ce qui le rend adapté à diverses conditions environnementales.

Existe-t-il une méthode d'installation spécifique recommandée pour ce MOSFET ?


L'appareil est conçu pour être monté en surface en utilisant des techniques telles que le soudage pour garantir des connexions fiables.

Ce MOSFET peut-il être utilisé en parallèle avec d'autres ?


Oui, il peut être utilisé dans des configurations parallèles, mais une gestion thermique appropriée est essentielle pour éviter la surchauffe.

Quel type d'entraînement est recommandé pour une performance optimale ?


Il est recommandé d'utiliser une commande de porte de niveau logique pour une commutation efficace, en veillant à ce que l'appareil fonctionne dans les limites des niveaux de seuil spécifiés.

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