MOSFET canal N Infineon 27 A 55 V, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 218-3111
- Référence fabricant:
- IRFR4105TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
18,65 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 + | 0,746 € | 18,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-3111
- Référence fabricant:
- IRFR4105TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 27A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Tension directe Vf | 0.045V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 68W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 2.39mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 27A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Tension directe Vf 0.045V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 68W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 2.39mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N 55 V série Infineon HEXFET. Il utilise des techniques Advanced Processing pour obtenir la plus faible résistance possible par surface de silicium. Ce transistor MOSFET est conçu pour le montage en surface à l'aide d'une technique de soudage par phase vapeur, infrarouge ou à la vague.
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