MOSFET canal N Infineon 89 A 55 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9459
- Référence fabricant:
- IRLR3705ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 257-9459
- Référence fabricant:
- IRLR3705ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 89A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 89A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15mΩ | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRLR d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple de 55 V dans un boîtier D-Pak.
Niveau logique
Technologie de processus avancée
Résistance à l'état passant ultra-faible
Température d'utilisation : 175 °C
Commutation rapide
Avalanche répétitive autorisée jusqu'à Tj max.
Sans plomb
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 89 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 61 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 17 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 56 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 89 A 55 V TO-263 HEXFET
- MOSFET N Infineon 27 A 55 V TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 62 A 55 V TO-252 HEXFET
- MOSFET N Infineon 89 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET