MOSFET canal N Infineon 89 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 540-9991
- Référence fabricant:
- IRL3705NPBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 540-9991
- Référence fabricant:
- IRL3705NPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 89A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -16, +16V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 170W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 98nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.69mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 9.02mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 89A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -16, +16V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 170W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 98nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.69mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 9.02mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 89A, dissipation de puissance maximale de 170W - IRL3705NPBF
Ce MOSFET à canal N est conçu pour des applications de haute performance, tout en offrant une efficacité et une fiabilité accrues. Utilisant la technologie HEXFET avancée, il présente une résistance à l'enclenchement minimale et convient à diverses applications dans les domaines de l'automatisation, de l'électronique et de l'électricité. L'appareil fonctionne dans une large gamme de températures, ce qui garantit des performances efficaces dans divers environnements.
Caractéristiques et avantages
• Faible Rds(on) de 10mΩ pour une efficacité accrue
• Fonctionne en mode amélioration pour les conceptions de circuits innovants
• Capacités de commutation rapide pour une meilleure réactivité du système
• Entièrement homologué pour les avalanches pour une durabilité dans les situations exigeantes
Applications
• Convient aux systèmes industriels de gestion de l'énergie
• Idéal pour l'entraînement des moteurs dans l'automatisation
• Compatible avec les blocs d'alimentation nécessitant une faible résistance thermique
• Utilisé dans les convertisseurs DC-DC pour améliorer l'efficacité énergétique
Quelle est la capacité maximale de dissipation de puissance ?
La puissance dissipée maximale est de 170 W, ce qui permet une gestion thermique efficace dans des conditions de charge élevée.
Est-il adapté aux températures élevées ?
Ce dispositif peut fonctionner dans une plage de température allant de -55°C à +175°C, ce qui le rend adapté à une variété de scénarios à haute température.
Quelle est la signification de la plage de tension de seuil de la porte ?
La tension de seuil de la grille varie de 1 à 2 V, ce qui est essentiel pour déterminer les états de marche et d'arrêt pour différentes tensions de commande de la grille.
Quelles sont les considérations à prendre en compte pour l'utiliser dans un circuit ?
Veillez à ce que la tension porte-source ne dépasse pas ±16V pour éviter tout dommage et maintenir une fonctionnalité optimale.
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