MOSFET canal N Infineon 64 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 540-9957
- Référence fabricant:
- IRFZ48NPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
1,70 €
HT
2,04 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 1 restante(s), prêt à être expédié
- Plus 75 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 22 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,70 € |
| 10 - 49 | 1,51 € |
| 50 - 99 | 1,40 € |
| 100 - 249 | 1,32 € |
| 250 + | 1,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 540-9957
- Référence fabricant:
- IRFZ48NPBF
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 64A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 14mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 130W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 81nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.69mm | |
| Longueur | 10.54mm | |
| Hauteur | 8.77mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 64A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 14mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 130W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 81nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.69mm | ||
Longueur 10.54mm | ||
Hauteur 8.77mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 64A Maximum Continuous Drain Current, 130W Maximum Power Dissipation - IRFZ48NPBF
Caractéristiques et avantages
Applications
Quelle est la capacité maximale de dissipation de puissance ?
Comment la plage de température de fonctionnement affecte-t-elle les performances ?
Ce dispositif est-il compatible avec les circuits imprimés standard ?
Quelles sont les applications qui bénéficient le plus de la vitesse de commutation rapide de ce composant ?
Comment l'appareil doit-il être manipulé pendant l'installation ?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 64 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 31 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET P Infineon 19 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 169 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 89 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 49 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 75 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
