MOSFET N Infineon 30 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

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Code commande RS:
541-1247
Numéro d'article Distrelec:
303-41-411
Référence fabricant:
IRLZ34NPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-220

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

35mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

68W

Tension directe Vf

1.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

25nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

8.77mm

Longueur

10.54mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Infineon HEXFET Series MOSFET, 30A Maximum Continuous Drain Current, 68W Maximum Power Dissipation - IRLZ34NPBF


Ce MOSFET à canal N haute performance est conçu pour être efficace dans diverses applications électroniques. Il a un courant de drain continu maximum de 30A et peut gérer des tensions drain-source allant jusqu'à 55V. La capacité de mode amélioré garantit un fonctionnement dans diverses conditions, ce qui en fait un composant précieux pour la gestion de l'énergie dans différents secteurs.

Caractéristiques et avantages


• La faible résistance à l'enclenchement de 35mΩ réduit les pertes de puissance

• La capacité de dissipation d'énergie de 68 W améliore les performances

• La plage de température de fonctionnement de -55°C à +175°C garantit la polyvalence

• La charge de grille typique de 25nC à 5V permet une commutation plus rapide

• Le boîtier compact TO-220AB permet une mise en oeuvre efficace des circuits imprimés

Applications


• Utilisé dans les convertisseurs DC-DC pour une conversion efficace de l'énergie

• Approprié pour les circuits de commande de moteur dans l'automatisation industrielle

• Efficace dans les systèmes de gestion de l'énergie pour les énergies renouvelables

• Utilisé dans la commutation à grande vitesse pour les télécommunications

Quelle est la tension maximale entre la grille et la source ?


Le dispositif peut supporter une tension porte-source maximale de ±16V, ce qui garantit un fonctionnement sûr dans divers circuits.

Comment la température affecte-t-elle ses performances ?


Le MOSFET fonctionne efficacement sur une plage de températures allant de -55°C à +175°C, en conservant sa stabilité dans des conditions extrêmes.

Peut-il être utilisé dans des applications à haute fréquence ?


Oui, il est conçu avec une charge de grille typique de 25nC à 5V, ce qui le rend adapté aux applications à haute fréquence telles que les amplificateurs RF.

Quelles sont les implications d'un faible Rds(on) ?


Une valeur Rds(on) plus faible réduit considérablement la production de chaleur et les pertes de puissance, améliorant ainsi l'efficacité globale des alimentations.

Est-il compatible avec différents circuits électroniques ?


Ce dispositif est polyvalent et peut être intégré dans différentes configurations de circuits, y compris l'électronique de puissance automobile et industrielle.

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